研究実績
1. 原著論文
原著論文(査読付)
18)
論文題目：Structural control and photocatalytic properties of photocatalytic TiO2 thin films prepared using two-step deposition including Radical Assited Sputtering.
著者名：D. Noguchi, Y. Higashimaru ,T. Eto, K. Kodama, S. Fukudome, Y. Kawano, F. Sei and I. Siono.
雑誌名：Jpn. J. Appl. Phys.
巻：Vol. 53.
ページ：065501-1−065501-5.
発行年：2014.
17)
論文題目：Radical Assisted Sputtering法により作製したTa2O5固体電解質薄膜の作製.
著者名：西田悠光, 清文博, 河野慶彦, 福留政治, 佐井旭陽, 野口大輔.
雑誌名：J. Vac. Soc. Jpn.
巻：Vol. 56, No.11.
ページ：469−471.
発行年：2013.
16)
論文題目：Mechanical Properties and Fracture Behavior of Ramie Fiber at Testing Temperature of up to 473K.
著者名：M.Miyagawa, A. Takahashi, T. Sakamoto, N. Yamamoto, T. Toyohiro, D. Noguchi.
会議名：The Japan-Thailand-Lao P.D.R Joint Frendship International Conference on Applied Electrical and Mechanical Engineering.
ページ：95−98.
発行年：2013.
15)
論文題目：Production of an Original Thread Like Wood from Discarded Materials Through Project-Based Learning Program.
著者名：M.Yakubo, H. Watase, D. Noguchi, T. Yamashita, T. Takahashi.
会議名：International Symposium on Advances in Technology Education.
ページ：421−425.
発行年：2013.
14)
論文題目：Effect of Nucleation Layer of Photocatalytic TiO2 Thin Film Prepared by Two-Step Deposition Using Radical-Assisted Sputteri
著者名：D. Noguchi, Y. Higashimaru ,T. Eto, K. Kodama, S. Fukudome, Y. Kawano and F. Sei.
雑誌名：Jpn. J. Appl. Phys.
巻：Vol. 51.
ページ：045504-1−045504-4.
発行年：2012.
13)
論文題目：Ion Conductivity of Ta2O5 Solid Electrolyte Thin Film Prepared by Combination Sputtering with Radio Frequency Oxygen Plasma Irradiation.
著者名：D. Noguchi, H. Taneda ,Y. Higashimaru , Y. Kawano and F. Sei.
雑誌名：Jpn. J. Appl. Phys.
巻：Vol. 51.
ページ：025801-1−025801-5.
発行年：2012.
12)
論文題目：Formation of WO3 Reduction Coloring Thin Films Using a Combination Sputtering Method Featuring Radio-Frequency Oxygem Plasma Irradiation.
著者名：D. Noguchi, S. Fukudome, M. Shimoniihara, Y. Kawano, F. Sei.
雑誌名：J. Vac. Soc. Jpn.
巻：Vol. 54, No.5.
ページ：317−321.
発行年：2011.
11)
論文題目：Technique for High-Rate, Low-Temperature Deposition of TiO2 Photocatalytic Thin Film Using Radical-Assisted Sputtering.
著者名：D. Noguchi, T. Eto, K. Kodama, Y. Higashimaru, Y. Kawano, F. Sei.
雑誌名：Jpn. J. Appl. Phys.
巻：Vol. 50.
ページ：010204-1−010204-3.
発行年：2011.
10)
論文題目：Preparation of TiO2 Thin Film Photocatalyst by High-rate Low-temperature Sputtering Method.
著者名：D. Noguchi, K. Okutsu, S. Onitsuka, Y. Kawano, F. Sei.
雑誌名：J. Vac. Soc. Jpn.
巻：Vol. 53, No.1.
ページ：41−45.
発行年：2010.
9)
論文題目：Photoinduced Hydrophilicity and Structual Evaluation of SiOx:OH/TiO2 Multi-Layer Films by DC Reactive Magnetron Sputtering.
著者名：D. Noguchi, T. Sakai, T. Nagatomo.
雑誌名：Jpn. J. Appl. Phys.
巻：Vol. 45, No.3 A.
ページ：1775−1782.
発行年：2006.
8)
論文題目：Photo-Induced Hydrophilicity of SiOx:OH/TiO2 Multi-Layer Films by Direct Current Reactive Magnetron Sputtering.
著者名：D. Noguchi, T. Sakai, T. Nagatomo.
雑誌名：Journal of the Ceramic Society of Japan.
巻：113[9].
ページ：630−633.
発行年：2005.
7)
論文題目：The Response of TiO2 Photocatalysts Codoped with Nitrogen and Carbon to Visible Light.
著者名：D. Noguchi, Y. Kawamata, T. Nagatomo.
雑誌名：J. Electrochem. Soc.
巻：152(9).
ページ：D124−129.
発行年：2005.
6)
論文題目：Photocatalytic Characteristics and Structural Evaluation of TiO2 Thin Films Reactively DC Sputtered with H2O.
著者名：D. Noguchi, Y. Kawamata, T. Nagatomo.
雑誌名：J. Electrochem. Soc.
巻：151(7).
ページ：D61−65.
発行年：2004.
5)
論文題目：Relationship between the Photocatalytic Characteristics and Oxygen Partial Pressure of TiO2 Thin Films Prepared by a DC Reactive Sputtering Method.
著者名：D. Noguchi, Y. Kawamata, T. Nagatomo.
雑誌名：Jpn. J. Appl. Phys.
[ 巻：Vol. 43, No. 4A.
ページ：1581−1585.
発行年：2004.
4)
論文題目：Effects of Sputtered High-Energy Particles on the Structure and Photocatalytic Performance of TiO2 Films Prepared by a DC Reactive Sputtering Method.
著者名：D. Noguchi, Y. Kawamata, T. Nagatomo.
雑誌名：Jpn. J. Appl. Phys.
巻：Vol. 43, No. 7A.
ページ：4351−4355.
発行年：2004.
3)
論文題目：Photocatalytic Charactristics of TiO2 Thin Films Prepared by DC Reactive Magnetron Sputtering With added H2O.
著者名：D. Noguchi, Y. Kawamata, T. Nagatomo.
雑誌名：Jpn. J. Appl. Phys.
巻：Vol. 42.
ページ：5255−5258.
発行年：2003.
2)
論文題目：Residual lattice strain in thin silicon-on-insulator bonded wafers: Effect on electrical properties and Raman shifts.
著者名：T. Iida, T. Itoh, D. Noguchi, Y. Takanashi, Y. Takano, Y. Kanda.
雑誌名：J. Appl. Phys.
巻：Vol. 89.
ページ：2109−2114.
発行年：2001.
1)
論文題目：Residual lattice strain in thin silicon-on-insulator bonded wafers: Thermal behavior and formation mechanisms.
著者名：T. Iida, T. Itoh, D. Noguchi, Y. Takanashi, Y. Takano.
雑誌名：J. Appl. Phys.
巻：Vol. 87.
ページ：675−681.
発行年：2000.
18)
論文題目：Structural control and photocatalytic properties of photocatalytic TiO2 thin films prepared using two-step deposition including Radical Assited Sputtering.
著者名：D. Noguchi, Y. Higashimaru ,T. Eto, K. Kodama, S. Fukudome, Y. Kawano, F. Sei and I. Siono.
雑誌名：Jpn. J. Appl. Phys.
巻：Vol. 53.
ページ：065501-1−065501-5.
発行年：2014.
17)
論文題目：Radical Assisted Sputtering法により作製したTa2O5固体電解質薄膜の作製.
著者名：西田悠光, 清文博, 河野慶彦, 福留政治, 佐井旭陽, 野口大輔.
雑誌名：J. Vac. Soc. Jpn.
巻：Vol. 56, No.11.
ページ：469−471.
発行年：2013.
16)
論文題目：Mechanical Properties and Fracture Behavior of Ramie Fiber at Testing Temperature of up to 473K.
著者名：M.Miyagawa, A. Takahashi, T. Sakamoto, N. Yamamoto, T. Toyohiro, D. Noguchi.
会議名：The Japan-Thailand-Lao P.D.R Joint Frendship International Conference on Applied Electrical and Mechanical Engineering.
ページ：95−98.
発行年：2013.
15)
論文題目：Production of an Original Thread Like Wood from Discarded Materials Through Project-Based Learning Program.
著者名：M.Yakubo, H. Watase, D. Noguchi, T. Yamashita, T. Takahashi.
会議名：International Symposium on Advances in Technology Education.
ページ：421−425.
発行年：2013.
14)
論文題目：Effect of Nucleation Layer of Photocatalytic TiO2 Thin Film Prepared by Two-Step Deposition Using Radical-Assisted Sputteri
著者名：D. Noguchi, Y. Higashimaru ,T. Eto, K. Kodama, S. Fukudome, Y. Kawano and F. Sei.
雑誌名：Jpn. J. Appl. Phys.
巻：Vol. 51.
ページ：045504-1−045504-4.
発行年：2012.
13)
論文題目：Ion Conductivity of Ta2O5 Solid Electrolyte Thin Film Prepared by Combination Sputtering with Radio Frequency Oxygen Plasma Irradiation.
著者名：D. Noguchi, H. Taneda ,Y. Higashimaru , Y. Kawano and F. Sei.
雑誌名：Jpn. J. Appl. Phys.
巻：Vol. 51.
ページ：025801-1−025801-5.
発行年：2012.
12)
論文題目：Formation of WO3 Reduction Coloring Thin Films Using a Combination Sputtering Method Featuring Radio-Frequency Oxygem Plasma Irradiation.
著者名：D. Noguchi, S. Fukudome, M. Shimoniihara, Y. Kawano, F. Sei.
雑誌名：J. Vac. Soc. Jpn.
巻：Vol. 54, No.5.
ページ：317−321.
発行年：2011.
11)
論文題目：Technique for High-Rate, Low-Temperature Deposition of TiO2 Photocatalytic Thin Film Using Radical-Assisted Sputtering.
著者名：D. Noguchi, T. Eto, K. Kodama, Y. Higashimaru, Y. Kawano, F. Sei.
雑誌名：Jpn. J. Appl. Phys.
巻：Vol. 50.
ページ：010204-1−010204-3.
発行年：2011.
10)
論文題目：Preparation of TiO2 Thin Film Photocatalyst by High-rate Low-temperature Sputtering Method.
著者名：D. Noguchi, K. Okutsu, S. Onitsuka, Y. Kawano, F. Sei.
雑誌名：J. Vac. Soc. Jpn.
巻：Vol. 53, No.1.
ページ：41−45.
発行年：2010.
9)
論文題目：Photoinduced Hydrophilicity and Structual Evaluation of SiOx:OH/TiO2 Multi-Layer Films by DC Reactive Magnetron Sputtering.
著者名：D. Noguchi, T. Sakai, T. Nagatomo.
雑誌名：Jpn. J. Appl. Phys.
巻：Vol. 45, No.3 A.
ページ：1775−1782.
発行年：2006.
8)
論文題目：Photo-Induced Hydrophilicity of SiOx:OH/TiO2 Multi-Layer Films by Direct Current Reactive Magnetron Sputtering.
著者名：D. Noguchi, T. Sakai, T. Nagatomo.
雑誌名：Journal of the Ceramic Society of Japan.
巻：113[9].
ページ：630−633.
発行年：2005.
7)
論文題目：The Response of TiO2 Photocatalysts Codoped with Nitrogen and Carbon to Visible Light.
著者名：D. Noguchi, Y. Kawamata, T. Nagatomo.
雑誌名：J. Electrochem. Soc.
巻：152(9).
ページ：D124−129.
発行年：2005.
6)
論文題目：Photocatalytic Characteristics and Structural Evaluation of TiO2 Thin Films Reactively DC Sputtered with H2O.
著者名：D. Noguchi, Y. Kawamata, T. Nagatomo.
雑誌名：J. Electrochem. Soc.
巻：151(7).
ページ：D61−65.
発行年：2004.
5)
論文題目：Relationship between the Photocatalytic Characteristics and Oxygen Partial Pressure of TiO2 Thin Films Prepared by a DC Reactive Sputtering Method.
著者名：D. Noguchi, Y. Kawamata, T. Nagatomo.
雑誌名：Jpn. J. Appl. Phys.
[ 巻：Vol. 43, No. 4A.
ページ：1581−1585.
発行年：2004.
4)
論文題目：Effects of Sputtered High-Energy Particles on the Structure and Photocatalytic Performance of TiO2 Films Prepared by a DC Reactive Sputtering Method.
著者名：D. Noguchi, Y. Kawamata, T. Nagatomo.
雑誌名：Jpn. J. Appl. Phys.
巻：Vol. 43, No. 7A.
ページ：4351−4355.
発行年：2004.
3)
論文題目：Photocatalytic Charactristics of TiO2 Thin Films Prepared by DC Reactive Magnetron Sputtering With added H2O.
著者名：D. Noguchi, Y. Kawamata, T. Nagatomo.
雑誌名：Jpn. J. Appl. Phys.
巻：Vol. 42.
ページ：5255−5258.
発行年：2003.
2)
論文題目：Residual lattice strain in thin silicon-on-insulator bonded wafers: Effect on electrical properties and Raman shifts.
著者名：T. Iida, T. Itoh, D. Noguchi, Y. Takanashi, Y. Takano, Y. Kanda.
雑誌名：J. Appl. Phys.
巻：Vol. 89.
ページ：2109−2114.
発行年：2001.
1)
論文題目：Residual lattice strain in thin silicon-on-insulator bonded wafers: Thermal behavior and formation mechanisms.
著者名：T. Iida, T. Itoh, D. Noguchi, Y. Takanashi, Y. Takano.
雑誌名：J. Appl. Phys.
巻：Vol. 87.
ページ：675−681.
発行年：2000.
2. 解説・総説・紀要・著書・その他
紀要
6)
論文題目：光触媒多層酸化チタン薄膜における核形成層効果.
著者名：東丸幸江, 江藤智弘, 児玉和也, 塩野一郎, 清文博, 河野慶彦, 福留政治, 野口大輔.
雑誌名：都城工業高等専門学校 研究報告.
巻：第48号.
ページ：45−53.
発行年：2014.
5)
論文題目：Radical Assited Sputtering法により作製したTa2O5固体電解質薄膜の特性改善.
著者名：西田悠光, 清文博, 河野慶彦, 佐井旭陽, 野口大輔.
雑誌名：都城工業高等専門学校 研究報告.
巻：第48号.
ページ：54−62.
発行年：2014.
4)
論文題目：RF酸素プラズマ照射を特長とした併用式スパッタ法によるWO3還元発色薄膜の作製.
著者名：福留政治, 清文博, 河野慶彦, 野口大輔.
雑誌名：都城工業高等専門学校 研究報告.
巻：第46号.
ページ：13−22.
発行年：2012.
3)
論文題目：RF酸素プラズマ照射を特長とした併用式スパッタ法によるTa2O5固体電解質薄膜の作製.
著者名：種子田浩志, 清文博, 河野慶彦, 野口大輔.
雑誌名：都城工業高等専門学校 研究報告.
巻：第46号.
ページ：23−32.
発行年：2012.
2)
論文題目：Wettability control on surface of titanium dioxide by mechanical rubbing method.
著者名：D. Noguchi, Y. Murata, Y. Kawano, F. Sei.
雑誌名：都城工業高等専門学校 研究報告.
巻：第45号.
ページ：15−18.
発行年：2011.
1)
論文題目：高速低温スパッタ法によるTiO2光触媒薄膜の成膜技術開発と薄膜成長モデル解明に関する研究.
著者名：奥津加奈, 鬼束さおり, 清文博, 河野慶彦, 野口大輔.
雑誌名：都城工業高等専門学校 研究報告.
巻：第45号.
ページ：19−29.
発行年：2011.
総説・解説
8)
論文題目：機能性金属酸化物薄膜の高速低温結晶化スパッタリング技術.
著者名：野口大輔.
雑誌名：ケミカルエンジニアリング.
巻：Vol. 57 No. 257.
ページ：41−46.
発行年：2012.
7)
論文題目：RAS(Radical Assisted Sputtering)法による機能性薄膜高速低温結晶化成膜技術開発.
著者名：野口大輔.
雑誌名：KITEC INFORMATION.
巻：No. 257.
ページ：25.
発行年：2011.
6)
論文題目：RAS法を用いた機能性薄膜の高速低温結晶化成膜技術.
著者名：野口大輔.
雑誌名：コンバーテック.
巻：No. 444.
ページ：96−99.
発行年：2010.
5)
論文題目：高速低温スパッタリング技術の機能性酸化物薄膜への応用.
著者名：野口大輔.
雑誌名：SPUTTERING & PLASMA PROCESSES.
巻：Vol. 23. No. 5.
ページ：13−19.
発行年：2008.
4)
論文題目：後酸化スパッタ法によるTiO2光触媒薄膜の高速低温成膜技術開発〜TiO2光触媒薄膜への応用.
著者名：野口大輔, 肥後友紀子, 奥津加奈, 鬼束さおり.
雑誌名：真空ジャーナル.
巻：Vol. 115.
ページ：12−17.
発行年：2007.
3)
論文題目：窒素・炭素同時ドープによる酸化チタン光触媒の可視光応答化.
著者名：野口大輔, 川又由雄.
雑誌名：芝浦メカトロニクス技報.
巻：Vol. 46.
ページ：20−24.
発行年：2005.
2)
論文題目：DC反応性スパッタリング法における水素化TiO2の光触媒評価.
著者名：野口大輔.
雑誌名：芝浦メカトロニクス技報.
巻：Vol. 38.
ページ：13−17.
発行年：2003.
1)
論文題目：光触媒薄膜技術.
著者名：野口大輔.
雑誌名：芝浦メカトロニクス技報.
巻：Vol. 35.
ページ：20−23.
発行年：2002.
著書
1)
論文題目：高速低温スパッタリング技術による薄膜構造制御と機能性光学膜への応用.
著者名：野口大輔 (共著).
雑誌名：「最新」光学薄膜の膜厚コントロールとその評価.
発行所：株式会社技術情報協会
ページ：第4章 10節.
発行年：2013.
招待講演
3)
スパッタリング技術の機能性酸化物薄膜への応用，日本真空協会 第111回スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会，2008年 野口大輔
2)
スパッタ法による光触媒膜の作成，日本真空協会第191回産業部会，2004年 野口大輔
1)
光触媒プロセス開発，日本真空工業会VACUUM2002，2002年 野口大輔
受賞
4)
日本真空学会 第21回真空進歩賞
3)
都城工業高等専門学校 教員表彰 総合部門賞
2)
都城工業高等専門学校 教員表彰 社会貢献部門賞
1)
芝浦メカトロニクス株式会社 技術成果発表会 最優秀賞
6)
論文題目：光触媒多層酸化チタン薄膜における核形成層効果.
著者名：東丸幸江, 江藤智弘, 児玉和也, 塩野一郎, 清文博, 河野慶彦, 福留政治, 野口大輔.
雑誌名：都城工業高等専門学校 研究報告.
巻：第48号.
ページ：45−53.
発行年：2014.
5)
論文題目：Radical Assited Sputtering法により作製したTa2O5固体電解質薄膜の特性改善.
著者名：西田悠光, 清文博, 河野慶彦, 佐井旭陽, 野口大輔.
雑誌名：都城工業高等専門学校 研究報告.
巻：第48号.
ページ：54−62.
発行年：2014.
4)
論文題目：RF酸素プラズマ照射を特長とした併用式スパッタ法によるWO3還元発色薄膜の作製.
著者名：福留政治, 清文博, 河野慶彦, 野口大輔.
雑誌名：都城工業高等専門学校 研究報告.
巻：第46号.
ページ：13−22.
発行年：2012.
3)
論文題目：RF酸素プラズマ照射を特長とした併用式スパッタ法によるTa2O5固体電解質薄膜の作製.
著者名：種子田浩志, 清文博, 河野慶彦, 野口大輔.
雑誌名：都城工業高等専門学校 研究報告.
巻：第46号.
ページ：23−32.
発行年：2012.
2)
論文題目：Wettability control on surface of titanium dioxide by mechanical rubbing method.
著者名：D. Noguchi, Y. Murata, Y. Kawano, F. Sei.
雑誌名：都城工業高等専門学校 研究報告.
巻：第45号.
ページ：15−18.
発行年：2011.
1)
論文題目：高速低温スパッタ法によるTiO2光触媒薄膜の成膜技術開発と薄膜成長モデル解明に関する研究.
著者名：奥津加奈, 鬼束さおり, 清文博, 河野慶彦, 野口大輔.
雑誌名：都城工業高等専門学校 研究報告.
巻：第45号.
ページ：19−29.
発行年：2011.
総説・解説
8)
論文題目：機能性金属酸化物薄膜の高速低温結晶化スパッタリング技術.
著者名：野口大輔.
雑誌名：ケミカルエンジニアリング.
巻：Vol. 57 No. 257.
ページ：41−46.
発行年：2012.
7)
論文題目：RAS(Radical Assisted Sputtering)法による機能性薄膜高速低温結晶化成膜技術開発.
著者名：野口大輔.
雑誌名：KITEC INFORMATION.
巻：No. 257.
ページ：25.
発行年：2011.
6)
論文題目：RAS法を用いた機能性薄膜の高速低温結晶化成膜技術.
著者名：野口大輔.
雑誌名：コンバーテック.
巻：No. 444.
ページ：96−99.
発行年：2010.
5)
論文題目：高速低温スパッタリング技術の機能性酸化物薄膜への応用.
著者名：野口大輔.
雑誌名：SPUTTERING & PLASMA PROCESSES.
巻：Vol. 23. No. 5.
ページ：13−19.
発行年：2008.
4)
論文題目：後酸化スパッタ法によるTiO2光触媒薄膜の高速低温成膜技術開発〜TiO2光触媒薄膜への応用.
著者名：野口大輔, 肥後友紀子, 奥津加奈, 鬼束さおり.
雑誌名：真空ジャーナル.
巻：Vol. 115.
ページ：12−17.
発行年：2007.
3)
論文題目：窒素・炭素同時ドープによる酸化チタン光触媒の可視光応答化.
著者名：野口大輔, 川又由雄.
雑誌名：芝浦メカトロニクス技報.
巻：Vol. 46.
ページ：20−24.
発行年：2005.
2)
論文題目：DC反応性スパッタリング法における水素化TiO2の光触媒評価.
著者名：野口大輔.
雑誌名：芝浦メカトロニクス技報.
巻：Vol. 38.
ページ：13−17.
発行年：2003.
1)
論文題目：光触媒薄膜技術.
著者名：野口大輔.
雑誌名：芝浦メカトロニクス技報.
巻：Vol. 35.
ページ：20−23.
発行年：2002.
著書
1)
論文題目：高速低温スパッタリング技術による薄膜構造制御と機能性光学膜への応用.
著者名：野口大輔 (共著).
雑誌名：「最新」光学薄膜の膜厚コントロールとその評価.
発行所：株式会社技術情報協会
ページ：第4章 10節.
発行年：2013.
招待講演
3)
スパッタリング技術の機能性酸化物薄膜への応用，日本真空協会 第111回スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会，2008年 野口大輔
2)
スパッタ法による光触媒膜の作成，日本真空協会第191回産業部会，2004年 野口大輔
1)
光触媒プロセス開発，日本真空工業会VACUUM2002，2002年 野口大輔
受賞
4)
日本真空学会 第21回真空進歩賞
3)
都城工業高等専門学校 教員表彰 総合部門賞
2)
都城工業高等専門学校 教員表彰 社会貢献部門賞
1)
芝浦メカトロニクス株式会社 技術成果発表会 最優秀賞
3. 特許
特許
5)
発明の名称：光触媒多層金属化合物薄膜及びその作成方法.
発明人：野口大輔, 河野慶彦, 清文博.
特許番号：5217023.
4)
発明の名称：光触媒体の製造装置.
発明人：平岡純治, 高塩稔, 福嶋哲弥, 野口大輔, 川又由雄.
特許番号：4823321.
3)
発明の名称：光触媒体及び光触媒体の製造方法.
発明人：野口大輔, 川又由雄.
特許番号：4837226.
2)
発明の名称：光触媒体の製造方法.
発明人：平岡純治, 高塩稔, 福嶋哲弥, 野口大輔, 川又由雄.
特許番号：4446740
1)
発明の名称：光触媒体、光触媒体の製造方法及び光触媒体の製造装置.
発明人：平岡純治, 道家隆博, 原賀久人, 野口大輔, 川又由雄.
特許番号：4261353.
出願特許
1)
発明の名称：シラス構造体およびシラス構造体の製造方法.
発明人：野口大輔.
特許出願番号：2012−171060.
5)
発明の名称：光触媒多層金属化合物薄膜及びその作成方法.
発明人：野口大輔, 河野慶彦, 清文博.
特許番号：5217023.
4)
発明の名称：光触媒体の製造装置.
発明人：平岡純治, 高塩稔, 福嶋哲弥, 野口大輔, 川又由雄.
特許番号：4823321.
3)
発明の名称：光触媒体及び光触媒体の製造方法.
発明人：野口大輔, 川又由雄.
特許番号：4837226.
2)
発明の名称：光触媒体の製造方法.
発明人：平岡純治, 高塩稔, 福嶋哲弥, 野口大輔, 川又由雄.
特許番号：4446740
1)
発明の名称：光触媒体、光触媒体の製造方法及び光触媒体の製造装置.
発明人：平岡純治, 道家隆博, 原賀久人, 野口大輔, 川又由雄.
特許番号：4261353.
出願特許
1)
発明の名称：シラス構造体およびシラス構造体の製造方法.
発明人：野口大輔.
特許出願番号：2012−171060.
4. 外部資金取得実績
科学研究費補助金
2)
平成25−27年度 若手研究(B) 「課題名」熱エネルギーに代わる新規なスパッタ薄膜構造制御技術開発 (代表)
1)
平成18−19年度 若手研究(B) 「課題名」後酸化逆スパッタ法による高活性光触媒薄膜の高速低温成膜技術開発 (代表)
受託研究
4)
(財)宮崎県産業支援財団 平成23年度環境リサイクル技術開発促進対策事業
平成23年度−24年度 「課題名」バリゴム(産業廃棄物)の脱硫による再資源化 (分担)
3)
(財)九州産業技術センター 九州の新成長戦略に基づく事業創出推進事業
平成23年度 「課題名」2段階ステップ成膜手法における結晶化制御因子確立と量産装置の構築 (代表)
2)
(財)九州産業技術センター 九州地域戦略イノベーション創出事業
平成21年度 「課題名」RAS法による機能性薄膜の高速低温結晶化成膜技術開発 (代表)
1)
(財)宮崎県産業支援財団 宮崎県戦略的地域科学振興事業
平成19−20年度 「課題名」高活性光触媒薄膜のカップガン構造を特徴とする逆スパッタ源による後酸化高速低温成膜技術開発と自動車用親水ミラー製造技術への応用に関する研究 (代表)
指定寄付金
1)
(財)日本板硝子材料工学助成会
平成19年度 「課題名」カップガン構造の逆スパッタ源による酸化チタン光触媒薄膜の後酸化成膜技術開発に関する研究 (代表)
産学連携共同研究
11)
(株)高千穂
平成25年度 「課題名」シラス薄膜の基礎物性評価に関する研究 (代表)
10)
(株)イーテック
平成25年度 「課題名」スパッタ法によるInSb化合物半導体膜の結晶性向上技術開発 (代表)
9)
(株)高純度化学研究所
平成24年度 「課題名」スパッタリング法による機能性薄膜の研究 (代表)
8)
(株)高千穂
平成23年度 「課題名」スパッタリング法による高機能性薄膜の作製と物性評価 (代表)
7)
(株)ホンダロック
平成23−24年度 「課題名」RAS法における全固体型自動防眩ミラー成膜技術の研究 (代表)
6)
(株)シンクロン
平成22年度 「課題名」スパッタ法による機能薄膜技術の研究 (代表)
5)
(株)ホンダロック
平成21−22年度 「課題名」高速低温スパッタ法における機能薄膜製造技術の研究 (代表)
4)
(株)シンクロン
平成19−20年度 「課題名」スパッタ法による機能薄膜技術の研究 (代表)
3)
(株)ホンダロック
平成19−20年度 「課題名」後酸化スパッタ製法による機能薄膜製造技術の研究 (代表)
2)
(株)ホンダロック
平成18年度 「課題名」スパッタ製法による機能薄膜製造技術の研究 (代表)
1)
第一高周波工業(株)
平成17年度 「課題名」高周波加熱技術と過熱水蒸気発生技術を応用した炭素複合材料の製法開発 (分担)
2)
平成25−27年度 若手研究(B) 「課題名」熱エネルギーに代わる新規なスパッタ薄膜構造制御技術開発 (代表)
1)
平成18−19年度 若手研究(B) 「課題名」後酸化逆スパッタ法による高活性光触媒薄膜の高速低温成膜技術開発 (代表)
受託研究
4)
(財)宮崎県産業支援財団 平成23年度環境リサイクル技術開発促進対策事業
平成23年度−24年度 「課題名」バリゴム(産業廃棄物)の脱硫による再資源化 (分担)
3)
(財)九州産業技術センター 九州の新成長戦略に基づく事業創出推進事業
平成23年度 「課題名」2段階ステップ成膜手法における結晶化制御因子確立と量産装置の構築 (代表)
2)
(財)九州産業技術センター 九州地域戦略イノベーション創出事業
平成21年度 「課題名」RAS法による機能性薄膜の高速低温結晶化成膜技術開発 (代表)
1)
(財)宮崎県産業支援財団 宮崎県戦略的地域科学振興事業
平成19−20年度 「課題名」高活性光触媒薄膜のカップガン構造を特徴とする逆スパッタ源による後酸化高速低温成膜技術開発と自動車用親水ミラー製造技術への応用に関する研究 (代表)
指定寄付金
1)
(財)日本板硝子材料工学助成会
平成19年度 「課題名」カップガン構造の逆スパッタ源による酸化チタン光触媒薄膜の後酸化成膜技術開発に関する研究 (代表)
産学連携共同研究
11)
(株)高千穂
平成25年度 「課題名」シラス薄膜の基礎物性評価に関する研究 (代表)
10)
(株)イーテック
平成25年度 「課題名」スパッタ法によるInSb化合物半導体膜の結晶性向上技術開発 (代表)
9)
(株)高純度化学研究所
平成24年度 「課題名」スパッタリング法による機能性薄膜の研究 (代表)
8)
(株)高千穂
平成23年度 「課題名」スパッタリング法による高機能性薄膜の作製と物性評価 (代表)
7)
(株)ホンダロック
平成23−24年度 「課題名」RAS法における全固体型自動防眩ミラー成膜技術の研究 (代表)
6)
(株)シンクロン
平成22年度 「課題名」スパッタ法による機能薄膜技術の研究 (代表)
5)
(株)ホンダロック
平成21−22年度 「課題名」高速低温スパッタ法における機能薄膜製造技術の研究 (代表)
4)
(株)シンクロン
平成19−20年度 「課題名」スパッタ法による機能薄膜技術の研究 (代表)
3)
(株)ホンダロック
平成19−20年度 「課題名」後酸化スパッタ製法による機能薄膜製造技術の研究 (代表)
2)
(株)ホンダロック
平成18年度 「課題名」スパッタ製法による機能薄膜製造技術の研究 (代表)
1)
第一高周波工業(株)
平成17年度 「課題名」高周波加熱技術と過熱水蒸気発生技術を応用した炭素複合材料の製法開発 (分担)
