野口 大輔

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物質工学科 教授

野口 大輔 個人HP

NOGUCHI Daisuke

専門分野:材料化学、材料工学、応用物理学

物質工学科長/地域連携テクノセンター計測・分析部門長

研究課題 (1) スパッタリング成膜における薄膜構造制御に関する研究
(2) 高速低温スパッタリング技術の高機能性薄膜への応用に関する研究
最終卒業学校 1999年(平成11年) 3月 東京理科大学 基礎工学部材料工学科
2005年(平成17年) 3月 芝浦工業大学 工学研究科 機能制御システム専攻
学位 2005(平成17年) 3月 博士(工学) 芝浦工業大学
学位論文 スパッタ法で作製した酸化チタン薄膜の光触媒特性と分光感度の長波長化
所属学会・協会 応用物理学会 日本真空学会 光機能材料研究会
主要前歴 1999年(平成11年)4月 芝浦メカトロニクス株式会社
2005年(平成17年)4月 都城工業高等専門学校物質工学科 助手
2007年(平成19年)4月 都城工業高等専門学校物質工学科 助教
2009年(平成21年)4月 都城工業高等専門学校物質工学科 准教授
主要著書・論文等 ○2012年(平成24年) D. Noguchi, Y. Higashimaru, T. Eto, K. Kodama, S. Fikudome, Y. Kawano, F.Sei and I. Siono, “Effect of Nucleation Layer of Photocatalytic TiO2 Thin Film Prepared by Two-Step Deposition Using Radical-Assisted Sputtering.”, J. J. Appl. Phys. 51 (2012) 045504
○2012年(平成24年) D. Noguchi, H. Taneda, Y. Higashimaru, Y. Kawano and F. Sei, “Ion Conductivity of Ta2O5 Solid Electrolyte Thin Film Prepared by Combination Sputtering with Radio Frequency Oxygen Plasma Irradiation”, J. J. Appl. Phys. 51 (2012) 025801
○2011年(平成23年) D. Noguchi, T. Eto, K. Kodama, Y. Higashimaru, S. Fukudome, Y. Kawano, F. Sei and I. Siono, “A Technique for High-Rate, Low-Temperature Deposition of TiO2 Photocatalytic Thin Film Using Radical-Assisted Sputtering”, J. J. Appl. Phys. 50 (2011) 010204
受賞状況  日本真空学会 第21回真空進歩賞
社会的活動実績 【都城盆地 地域維新の会】三廻組組員
情報公開責任者:物質工学科長