赤木研究室-業績

		都城高専-電気情報工学科
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構成人員

研究内容

原著論文

	2009年
	1. Growth and characterization of Mn-doped AgInS2 grown by a hot-press method Yoji Akaki, Yasuhiro Shirahata, Kenji Yoshino, Yutaka Ohno and Ichiro Yonenaga Physica Status Solidi (c), 6 (2009) 1043-1046. 2009年(平成21年) 4月
	2. Effect of annealing for CuInS2 thin films prepared from Cu-rich ternary compound Yoji Akaki, Shigeuki Nakamura, Keita Nomoto, Tsuyoshi Yoshitake and Kenji Yoshino Physica Status Solidi (c), 6 (2009) 1030-1033. 2009年(平成21年) 4月
	3. Synthesis of Porous CuInS2 Crystals Yoji Akaki, Takanori Matsubara, Yuki Ohno, Takanori Momiki and Kazuki Ide Physica Status Solidi (c), 6 (2009) 1027-1029. 2009年(平成21年) 4月

	2008年
	1. Effect of H2S annealing for CuInS2 thin films prepared by a vacuum evaporation method Y. Akaki, K. Nomoto, S. Nakamura, T. Yoshitake and K. Yoshino Journal of Physics: Conference Series, 100 (2008) 082022, 1-4. 2008年(平成20年) 3月

	2007年
	1. 真空蒸着法を用いたAgInS2薄膜の作製と評価栗原正次・赤木洋二・白濱正尋・剣田貫治・瀬戸悟・吉野賢二都城工業高等専門学校研究報告, 41 (2007) 39-44. 2007年(平成19年) １月

	2006年
	1. Pressure Dependence of AgInS2 Crystals Grown by Hot-Press Method K. Yoshino, A. Kinoshita, K. Nomoto, T. Kakeno, S. Seto, Y. Akaki, and T. Ikari Physica Status Solidi (c), 3 (2006) 2648-2651. 2006年(平成18年) 8月
	2. Structural, Electrical and Optical Properties of Bi-doped CuInS2 Thin Films Grown by Vacuum Evaporation Method Y. Akaki, H. Matsuo and K. Yoshino Physical Status Solidi (c), 3 (2006) 2597-2600. 2006年(平成18年) 8月
	3. 陽子線を照射したカルコパイライト型化合物半導体CuInSe2薄膜の圧電素子光熱分光スペクトル赤木洋二・吉野賢二・碇哲雄都城工業高等専門学校研究報告, 40 (2006) 23-30. 2006年(平成18年) 1月
	4. 無添加およびSb添加カルコパイライト型化合物半導体CuInS2薄膜の作製および評価赤木洋二・吉野賢二・碇哲雄都城工業高等専門学校研究報告, 40 (2006) 13-22. 2006年(平成18年) 1月